一种制备氮化镓单晶衬底的方法

摘要

本发明提供一种制备GaN单晶衬底的方法，属于光电材料和器件领域。该方法包括：在蓝宝石等异质衬底上利用MOCVD或MBE等技术生长高质量GaN薄膜作为后续生长的模板，厚度在10μm之内；在GaN模板上制备一柔性的弱键和层；采用常规的HVPE方法在GaN模板上快速生长GaN单晶厚膜；由于减少了GaN和衬底之间的应力效应，可以获得低位错密度的GaN外延层，防止厚膜产生裂纹，获得高质量GaN材料，当GaN单晶厚膜厚度为0.1.毫米以上时，在降温过程中使得GaN单晶厚膜能够从GaN模板上自动分离，获得GaN单晶厚膜。本发明利用一种弱连接的方式，提高晶体质量，使GaN单晶厚膜和异质衬底之间自动分离，直接获得GaN单晶衬底。

主权项

1、一种制备GaN单晶衬底的方法，其步骤如下：1)在蓝宝石等异质衬底上利用MOCVD或MBE等技术生长高质量GaN薄膜作为后续生长的模板，厚度在10μm之内；2)在GaN模板上制备一柔性的弱键合层；3)采用常规的HVPE方法在GaN模板上快速生长GaN单晶厚膜；4)当GaN单晶厚膜厚度为0.1毫米以上，生长结束后，进行降温，使GaN单晶厚膜从GaN模板的弱键合层上自动分离，获得GaN单晶衬底。