多个存储单元共用存取元件的薄膜磁性体存储装置

摘要

构成MTJ存储单元的隧道磁电阻元件(TMR)，连接在位线(BL)和搭接片(SL)之间。各存储单元列中，搭接片(SL)为同一行块内的多个隧道磁电阻元件(TMR)所共有。存取晶体管(ATR)连接在搭接片(SL)和接地电压(GND)之间，响应对应的字线(WL)导通与截止。分别在给以连接于同一搭接片的存储单元群为对象的、选择存储单元施加预定磁场的前后进行数据读出，根据对数据读出结果的比较，从选择存储单元读出存储数据。

主权项

1. 一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：行列状布置的、沿行方向分割为多个行块的多个存储单元，各所述存储单元，包含其电阻按照以磁方式写入的存储数据改变的隧道磁电阻元件；所述薄膜磁性体存储装置还设有分别对应于存储单元列沿列方向布置的多条位线；在各所述存储单元列中，分别对应于所述多个行块布置的多条第搭接片；分别对应于所述多个行块沿行方向布置的、按照数据读出时的行选择结果被有选择地激活的多条字线，以及分别对应于所述多条搭接片布置的多个存取晶体管；各所述隧道磁电阻元件，电气连接于所述多条位线和所述多条搭接片中与之对应的一条位线和一条搭接片之间，各所述存取晶体管，电气连接于所述多条搭接片中与之对应的一条和固定电压之间，在对应的字线被激活时导通。