| 发明名称 | 成膜装置、成膜方法、计算机程序和存储介质 | ||
| 摘要 | 在成膜方法中，首先向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体。向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，加热被处理体。然后通过热处理在被处理体的表面凹部上形成薄膜。由此能够用铜膜填埋被处理体的表面凹部。 | ||
| 申请公布号 | CN101466864A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200780021133.5 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 松本贤治;小池淳一;根石浩司 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种成膜方法，其特征在于，包括：向能够抽真空的处理容器内搬送被处理体的工序；和向处理容器内至少供给含有过渡金属的含过渡金属原料气体和还原气体，并加热被处理体，通过热处理在被处理体的表面形成薄膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||