| 发明名称 | 光传感器以及光传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光传感器以及光传感器的制造方法。在考虑了与非晶硅的粘合性后，防止源电极和漏电极的断线。本发明的光传感器具有TFT阵列衬底，该TFT阵列衬底具有阵列状配置有薄膜晶体管(101)的元件区域(102)，具有设置在薄膜晶体管(101)的上部并形成有接触孔(CH1)的钝化膜(8)和通过接触孔(CH1)与薄膜晶体管(101)的漏电极(7)连接的光电二极管(100)，在TFT阵列衬底的元件区域的外侧的周边区域(103)，钝化膜(8)和栅极绝缘膜(3)被除去，周边区域(103)的钝化膜(8)的边缘形成在与周边区域的栅极绝缘膜(3)的边缘相同的位置或者栅极绝缘膜(3)的边缘的外侧。 | ||
| 申请公布号 | CN101465360A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810185585.3 | 申请日期 | 2008.12.17 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 林正美;内田祐介 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 1. 一种光传感器，具备TFT阵列衬底，该TFT阵列衬底具有阵列状地配置有薄膜晶体管的元件区域，其中，具备：钝化膜，设置在所述薄膜晶体管的上部，并且形成有接触孔；光电二极管，通过所述接触孔与所述薄膜晶体管的漏电极连接，在所述TFT阵列衬底的所述元件区域的外侧的周边区域，衬底端的所述钝化膜以及所述栅极绝缘膜被除去，所述周边区域的所述钝化膜的边缘，形成在与所述周边区域的所述栅极绝缘膜的边缘相同的位置或者所述栅极绝缘膜的边缘的外侧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||