具垂直电性自我连接的三维堆栈芯片结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种具垂直电性自我连接的三维堆栈芯片结构及其制造方法，是于三维堆栈芯片间形成各自的电性导线层延伸至各芯片侧壁，再利用这些埋于各层间并外露于芯片侧壁的电性导线层进行无电镀金属自我沉积而等向长大，以沿着堆栈芯片侧壁形成一垂直电性导线连接各个电性导线层，进而完成三维堆栈芯片的垂直电性自我连接。

主权项

1. 一种具垂直电性自我连接的三维堆栈芯片结构，其特征是，该三维堆栈芯片结构包括：多数个芯片，所述的芯片从下至上呈三维堆栈结构，至少二个所述的芯片分别具有多数个金属垫对应其至少一芯片侧边；一第一绝缘层，形成于每一所述的芯片的一第一表面上方并曝露出所述的金属垫，每一该金属垫上方形成一电性接触穿过所述的第一绝缘层；一电性导线层，形成于每一所述的芯片的第一绝缘层上方，该电性导线层包含多数条电性导线延伸至所述的芯片对应所述的金属垫的芯片侧边，每一金属垫通过其电性接触电性连接于对应的一条前述电性导线；一第二绝缘层，形成于每一所述的芯片的第一绝缘层上方包覆该芯片并使其芯片侧边的所述的电性导线裸露出来；及多数条垂直电性导线，形成于所述的芯片侧边并电性连接裸露于所述的芯片侧边的所述的电性导线。