| 发明名称 | 等离子体刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子体刻蚀方法。本发明在刻蚀半导体衬底上的多层刻蚀目标层的步骤之前，均包括电离包含惰性气体的预处理气体以形成预处理等离子体，利用预处理等离子体处理光刻胶层的步骤，从而避免光刻胶层的图形侧壁上形成沟槽，进而使得在电介质层上刻蚀出的形状更符合预期。 | ||
| 申请公布号 | CN101465287A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810205373.7 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 高山星一;倪图强 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种等离子体刻蚀方法，包括步骤：(1)提供一半导体衬底，所述衬底上方包括刻蚀目标层和位于刻蚀目标层上方的光刻胶层；(2)图形化所述光刻胶层；(3)提供预处理气体等离子体，利用所述预处理等离子体处理所述光刻胶层；(4)以预处理后的光刻胶层为掩膜刻蚀所述目标层第一深度；(5)利用所述预处理等离子体再次处理所述光刻胶层；(6)以所述再次处理后的光刻胶层为掩膜刻蚀目标层第二深度；所述预处理光刻胶层步骤中，所述预处理等离子体穿透光刻胶层的距离小于或等于光刻胶层厚度的一半。 | ||
| 地址 | 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||