半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种半导体器件和其制造方法，该器件能以低成本制造，并且具有低导通电阻和高耐受电压。该半导体器件包括形成在P-型半导体衬底(1)上的N-型阱区(2)，形成在该阱区(2)内的P-型体区(3)，形成在该体区(3)内的N-型源区(6)，形成在该阱区(2)中与该体区(3)相距一段距离的N-型漏区(8)，形成为重叠该体区(3)的一部分的栅绝缘膜(12)，形成在该栅绝缘膜(12)上的栅电极(9)和与该体区(3)的底部接触并在该阱区(2)内沿平行于该半导体衬底(1)表面的方向延伸到该漏区(8)下方的区域的P-型掩埋扩散区(4)。

主权项

1. 一种半导体器件，包括：形成在第一导电类型的半导体衬底上的第二导电类型的阱区，该第二导电类型不同于该第一导电类型；形成在该阱区内的该第一导电类型的体区；形成在该体区内的该第二导电类型的源区；形成在该阱区中与该体区相距一段距离的该第二导电类型的漏区；形成为重叠该体区的一部分的栅绝缘膜；形成在该栅绝缘膜上的栅电极；和该第一导电类型的掩埋扩散区，其与该体区的底部接触并在该阱区内平行于该半导体衬底表面的方向延伸到该漏区下方的区域。