| 发明名称 | 磁阻层系统和具有这种层系统的传感器元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磁阻层系统，其中在尤其根据GMR或AMR效应工作的磁阻层堆(14)的周围设置有一种层布置(15)，该层布置产生作用于所述磁阻层堆(14)的磁场，并且其中所述的层布置(15)至少具有一个硬磁层(12)和一个软磁层(13)。另外还涉及了尤其用于探测磁场强度和/或方向的、具有这种磁阻层系统(5)的传感器元件。 | ||
| 申请公布号 | CN100504425C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN03802768.2 | 申请日期 | 2003.06.26 |
| 申请人 | 罗伯特-博希股份公司 | 发明人 | H·西格勒;M·拉贝;U·迈 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1. 磁阻层系统，包括：根据大磁阻效应或各向异性磁阻效应工作的磁阻层堆(14)，所述磁阻层堆具有多个单层；产生作用于所述磁阻层堆(14)的磁场的层布置(15)，该层布置设置在所述磁阻层堆(14)之上和/或之下，并且所述层布置(15)具有至少一个硬磁层(12)和至少一个软磁层(13)，该至少一个软磁层与至少一个硬磁层相邻。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||