发明名称 |
半导体器件、温度传感器和包括该温度传感器的电子设备 |
摘要 |
一种温度传感器,包括具有不同发射极电流密度的两个晶体管,并且根据在基极和发射极之间的电压上的差值随温度而改变的事实来进行温度检测。所述温度传感器设置有反馈电路,用于控制各个集电极电压和发射极电流,从而两个晶体管的集电极电压根据类似的温度特性发生变化。 |
申请公布号 |
CN100504324C |
申请公布日期 |
2009.06.24 |
申请号 |
CN03805907.X |
申请日期 |
2003.03.10 |
申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
和智贵嗣;中村晃 |
分类号 |
G01K7/01(2006.01)I;H01L21/06(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I |
主分类号 |
G01K7/01(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1. 一种温度传感器,包括:具有不同发射极电流密度的第一和第二晶体管;反馈电路,用于控制第一和第二晶体管的集电极电压和/或发射极电流,从而使第一和第二晶体管的集电极电压以类似的温度响应发生变化,所述温度传感器通过利用第一和第二晶体管的基极-发射极电压之间的差值根据温度而发生变化的现象,来检测温度,其中所述反馈电路包括:第一电流镜像电路,所述第一电流镜像电路包括:第三晶体管,与第一晶体管的集电极电压相当的发射极电流流过所述第三晶体管的发射极;第四晶体管,与第二晶体管的集电极电压相当的发射极电流流过所述第四晶体管的发射极,所述第四晶体管的发射极电流发生变化,以便跟踪第三晶体管的发射极电流的变化;以及第二电流镜像电路,确定其操作电压,以便跟踪第四晶体管的发射极电流的变化,所述第二电流镜像电路确定了第一和第二晶体管的发射极电流。 |
地址 |
日本京都府 |