一种掺磷吸杂方法

摘要

一种掺磷吸杂方法，涉及一种在半导体器件制造过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法，属于半导体器件制造技术领域。已知技术有双重吸杂技术和多重吸杂技术，其存在的共同问题是工艺复杂，从而导致半导体器件的制造成本高。本发明是这样实现的，硅片经过硼扩散工步形成基区，在硅片正面做掺杂磷预扩，再在硅片背面做吸杂磷预扩，吸杂掺磷的浓度高于掺杂掺磷的浓度，最后做磷主扩。其效果在于在保证吸杂效果的前提下，简化了工艺。可应用于半导体器件的制造领域。

主权项

1、一种掺磷吸杂方法，在硅片背面扩散一层高浓度的磷作为吸杂源，其特征在于，硅片经过硼扩散工步形成基区，在硅片正面做掺杂磷预扩，再在硅片背面做吸杂磷预扩，吸杂掺磷的浓度高于掺杂掺磷的浓度，最后做磷主扩。