| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例，一种半导体器件可以包括：第一器件；形成在第一器件上和/或上方的硅外延层；形成在硅外延层上和/或上方的第二器件；以及穿过硅外延层形成的连接通孔，该连接通孔可以将第一器件和第二器件电互连。根据本发明实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：形成第一器件；在第一器件上和/或上方形成硅外延层；穿过硅外延层形成连接通孔；以及在硅外延层上和/或上方形成第二器件，以便第二器件可以电连接至连接通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101465346A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200810187882.1 | 申请日期 | 2008.12.22 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金相喆 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种器件，包括：第一器件；硅外延层，形成于所述第一器件上方；第二器件，形成于所述硅外延层上方；以及连接通孔，所述连接通孔形成穿过所述硅外延层以将所述第一器件和所述第二器件电互连。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||