发明名称 磁性随机处理存储器装置
摘要 本发明是提供一种磁性随机处理存储器装置,包括一存储单元,存储单元的读取容限是超过存储单元内磁阻元件的磁阻比率。存储单元是包括一磁阻元件,一参考晶体管、以及一放大晶体管。磁阻元件可包括一个夹于两电极层中间的磁性穿隧接面。其中一个电极层可连接至一输入节点,而输入节点亦连接至参考晶体管的漏极或源极以及放大晶体管的栅极。放大晶体管的漏极经由一导电程序线连接至一感测放大器。存储单元是利用流经磁阻元件的电流来控制放大晶体管栅极至源极的电压,并依据横跨放大晶体管的压降(或损失电流)以感应存储单元的状态。本发明使读取容限增加,故磁阻元件间差异所导致的影响即使未能消除,也可大幅度的降低。
申请公布号 CN100505087C 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200510109273.0 申请日期 2005.10.20
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 廖忠志
分类号 G11C11/15(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I 主分类号 G11C11/15(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人 刘新宇
主权项 1. 一种磁性随机处理存储器装置,所述磁性随机处理存储器装置包括:一存储单元,其包括一磁阻元件,一参考晶体管,以及一放大晶体管;一感测放大器;其中该磁阻元件包括一第一电极层与一第二电极层,其中该参考晶体管包括一栅极、一漏极与一源极;其中该参考晶体管的该栅极连接至一字线,该参考晶体管的该源极连接至一预定电压或一信号接地端,该参考晶体管的该漏极连接至该磁阻元件的第一电极层,其中该放大晶体管包括一栅极、一漏极及一源极,该放大晶体管的栅极连接至该参考晶体管的漏极与该磁阻元件的该第一电极层,该放大晶体管的漏极连接至一程序线,而该放大晶体管的源极连接到一信号接地端,以及其中该感测放大器连接至该放大晶体管的漏极。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号