具有网型栅极电极的MOS晶体管

摘要

本发明公开了一种具有网型栅极电极的MOS晶体管，其包括在衬底表面上设置的网型栅极电极。该网型栅极电极包括多个彼此平行延伸的第一延长布线，以及多个彼此平行延伸的第二延长布线。第一延长布线与第二延长布线交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列，并进一步限定衬底的源极/漏极区阵列。为减少栅极电容，可在网型栅极电极下的衬底中设置至少一个氧化区。例如，氧化区阵列可分别设置在栅极交叉区阵列下。

主权项

1. 一种半导体器件包括：衬底；在衬底表面上设置的网型栅极电极，该网型栅极电极包括彼此平行延伸的多个第一栅极电极和彼此平行延伸的多个第二栅极电极，其中所述第一栅极电极与所述第二栅极电极交叉以限定衬底表面上的栅极交叉区阵列以及在衬底的源极/漏极区阵列上对准的多个开口；在网型栅极电极与衬底表面之间插入的栅极介质层；以及在网型栅极电极下的衬底中设置的多个氧化区，其中氧化区的厚度大于栅极介质层的厚度，其中所述氧化区是延长的且在网型栅极电极的第一栅极电极下彼此平行并纵向延伸。