半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例，一种方法可以包括：在形成于半导体衬底上和/或上方的下部结构上和/或上方形成金属层，通过光刻工艺图样化金属层来形成相邻的金属线，在下部结构的表面上和/或上方形成绝缘层并在金属线之间形成空隙，以及对金属线和具有空隙的绝缘层实施热处理。根据本发明实施例，空隙可以用作缓冲物以防备烧结中金属线的膨胀，其中金属线的膨胀是由热膨胀系数的差异引起的。这可以避免鼓泡现象，其中鼓泡现象可能使绝缘膜与金属线分离。

主权项

1. 一种方法，包括：在形成于半导体衬底上方的下部结构上方形成金属层；通过使用光刻工艺图样化所述金属层来形成金属线；在所述金属线之间的所述下部结构的表面上方形成绝缘层，并在所述金属线之间形成空隙；以及对所述金属线和具有所述空隙的所述绝缘层实施热处理。