发明名称 一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置
摘要 本发明公开了一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法及其装置。在碱性溶液中,放置有在ITO基底的导电面上依次制备有TiO<sub>2</sub>多孔膜,再在TiO<sub>2</sub>多孔膜上沉积Ni(OH)<sub>2</sub>膜的双膜工作电极,在双膜电极的一侧放置有Pt对电极构成,两个电极用导线连接。在紫外光hv辐射下,利用两个电极的电位差,推动电子从外电路转移到Pt对电极,与氧化性的物质反应而消耗掉,可以减少了电子和空穴的复合,提高空穴将Ni(II)氧化为Ni(III)氧化效率,从而提高装置的氧化能的储存效率。
申请公布号 CN101465216A 申请公布日期 2009.06.24
申请号 CN200910095412.7 申请日期 2009.01.12
申请人 浙江大学 发明人 王建明;练慧勤;邵海波;王慧娟;张鉴清;曹楚南
分类号 H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I 主分类号 H01G9/20(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 林怀禹
主权项 1. 一种氢氧化镍-二氧化钛基光致储能方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:(1)在ITO基底的导电侧面上,应用溶胶-凝胶法制备TiO2多孔膜,溶胶-凝胶中TiO2的含量为0.1—100g/L;(2)采用电沉积法,以0.1-10mA/cm2的电流密度在TiO2多孔膜上沉积10-1000秒,得到Ni(OH)2膜,从而获得Ni(OH)2-TiO2双膜工作电极;(3)将Ni(OH)2-TiO2复合膜电极置于碱性溶液中,将复合膜电极与Pt对电极短接的情况下,通过紫外光辐射,TiO2产生电子-空穴对,电子通过外电路与空穴分离,产生具有强氧化性的空穴可以将Ni(II)氧化为Ni(III),从而实现氧化能的储存。
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