用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法

摘要

本发明属于电子材料技术领域，是一种用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法。采用高温热裂解聚合物前驱体法，具体步骤是：选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体；固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温下烧结，使聚合物热解为Si-B-C-N非晶陶瓷。本发明选用的起始原料很普遍，价格比用其它原料低很多，生产成本较低；硼的掺杂效果很好，硼的含量也比较容易控制，制备出的产品性能良好；工艺简单，实验条件容易实现，适用于大规模生产。

主权项

1、一种用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法，采用高温热裂解聚合物前驱体法，其特征是选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体聚硼硅氮烷；聚合物前驱体聚硼硅氮烷在250℃～400℃进行固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温100O℃～1350℃下烧结使聚合物热解为Si-B-C-N非晶陶瓷。