| 发明名称 | 气体处理装置和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种气体处理装置，包括；支承被处理基板的载置台(5)、处理容器(2)、后混合型喷淋头(40)和具有向喷淋头供给原料气体的原料气体流路和向喷淋头供给氧化性气体的氧化性气体流路的气体供给机构(60)。喷淋头具有：与载置台上的被处理基板之间隔着规定间隔相对的底面；在此底面上形成的沟槽；与原料气体流路连通，在除沟槽以外的底面上开口，喷出原料气体的多个原料气体喷出孔(44a)和与氧化性气体流路连通，在沟槽中开口，喷出氧化性气体的多个氧化性气体喷出孔(44b)。 | ||
| 申请公布号 | CN100505175C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200580000515.0 | 申请日期 | 2005.06.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 饭塚八城;木村宏一郎 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种气体处理装置，包括：支承被处理基板的载置台；包围所述载置台上的被处理基板的处理容器；分别独立的向所述载置台上的被处理基板喷出第一气体和第二气体的喷淋头；具有向所述喷淋头供给所述第一气体的第一气体流路和向所述喷淋头供给所述第二气体的第二气体流路的气体供给机构，其中，所述喷淋头具有：与所述载置台上的被处理基板之间隔着规定的间隔相对的底面；在所述底面上形成的沟槽；与所述气体供给机构的第一气体流路连通，在除所述沟槽之外的所述底面上开口，喷出所述第一气体的多个第一气体喷出孔；和与所述气体供给机构的第二气体流路连通，在所述沟槽中开口，喷出所述第二气体的多个第二气体喷出孔，所述沟槽的深度在0.5～10mm的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||