| 主权项 |
1.一种电子发热元件之金属散热结构，系以一蚀刻之制程而使该电子发热元件之金属散热结构之至少一平面形成复数个微孔隙，以产生自然对流之热传导。2.如申请专利范围第1项所述之电子发热元件之金属散热结构，其中该蚀刻之制程系一湿蚀刻(wet etching)及一乾蚀刻(dry etching)其中之一。3.如申请专利范围第2项所述之电子发热元件之金属散热结构，其中该乾蚀刻包含物理性蚀刻、化学性蚀刻或物理、化学复合蚀刻，物理性蚀刻系包含溅击蚀刻或离子束蚀刻，化学性蚀刻系包含电浆蚀刻，物理、化学复合蚀刻系包含反应性离子蚀刻(RIE)。4.如申请专利范围第2项所述之电子发热元件之金属散热结构，其中该湿蚀刻系以酸性溶液及硷性溶液其中之一，而加以腐蚀该电子发热元件之金属散热结构之至少一平面。5.如申请专利范围第4项所述之电子发热元件之金属散热结构，其中该酸性溶液系具有5%~30%之氯化氢(HCl,hydrochloric acid)。6.如申请专利范围第1项所述之电子发热元件之金属散热结构，其材质系为铝(Al)、铜(Cu)或含有金属之材料所组成。7.一种电子装置，包含：一发热元件；以及一金属散热结构，系连接该发热元件，该金属散热结构以一蚀刻之制程而使该金属散热结构之至少一平面形成复数个微孔隙，以产生自然对流之热传导。8.如申请专利范围第7项所述之电子装置，其中该蚀刻之制程系一湿蚀刻(wet etching)及一乾蚀刻(dry etching)其中之一。9.如申请专利范围第8项所述之电子装置，其中该湿蚀刻系以酸性溶液及硷性溶液其中之一，而加以腐蚀该金属散热结构之至少一平面。10.如申请专利范围第9项所述之电子装置，其中该酸性溶液系具有5%~30%之氯化氢(HCl,hydrochloric acid)。11.如申请专利范围第8项所述之电子装置，其中该乾蚀刻包含物理性蚀刻、化学性蚀刻或物理、化学复合蚀刻，物理性蚀刻系包含溅击蚀刻或离子束蚀刻，化学性蚀刻系包含电浆蚀刻，物理、化学复合蚀刻系包含反应性离子蚀刻(RIE)。12.如申请专利范围第7项所述之电子装置，其材质系为铝(Al)、铜(Cu)或含有金属之材料所组成。图式简单说明：第1图 系为本创作之电子发热元件之金属散热结构立体结构外观示意图。第2图 系为本创作之电子发热元件之金属散热结构于电路板上之作动示意图。第3图 系为本创作之电子发热元件之金属散热结构之晶相图。第4图 系为本创作之电子发热元件之金属散热结构与其它材质之比较图。 |
