| 主权项 |
1.一种用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其包括：一发光单元，其具有一正极导电层、一负极导电层、及一成形于该正极导电层及该负极导电层之间之第一绝缘层；一第一导电单元，其具有一成形于该正极导电层上之第一正极导电层及一成形于该负极导电层上之第一负极导电层；一第二导电单元，其具有一成形于该第一正极导电层上之第二正极导电结构及一成形于该第一负极导电层上之第二负极导电结构；以及一绝缘单元，其具有一成形在该第一绝缘层上并且位于该第二正极导电结构及该第二负极导电结构之间之第二绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该发光单元系具有一发光本体，并且该发光本体系具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上之氮化镓负电极层、及一成形于该氮化镓负电极层上之氮化镓正电极层，此外该正极导电层系成形于该氮化镓正电极层上，该负极导电层系成形于该氮化镓负电极层上，另外该第一绝缘层系成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间。3.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该正极导电层的上表面系具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面系具有一负极导电区域，并且该第一绝缘层系覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。4.如申请专利范围第3项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该第一正极导电层与该第一负极导电层系彼此绝缘，并且该第一正极导电层系成形于其余的正极导电区域上及一部分第一绝缘层上，该第一负极导电层系成形于其余的负极导电区域及一部分第一绝缘层上。5.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该第一绝缘层及该第二绝缘层系为一高分子材料层(polymer layer)或一陶瓷材料层(ceramic layer)。6.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该第二正极导电结构系由至少两层导电金属层透过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构系由至少两层导电金属层透过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少两层导电金属层系为一镍层(Ni)及一金层(Au)或锡层(Sn)，并且该金层或锡层系成形于该镍层上。7.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该第二正极导电结构系由至少三层导电金属层透过电镀的方式相互堆叠所组成，并且该第二负极导电结构系由至少三层导电金属层透过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少三层导电金属层系为一铜层(Cu)、一镍层(Ni)及一金层(Au)或锡层(Sn)，该镍层系成形于该铜层上，并且该金层或锡层系成形于该镍层上。8.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，更进一步包括：一成形于该发光单元底部之萤光层或一成形于该发光单元底部及周围之萤光层。9.如申请专利范围第1项所述之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构，其中该发光单元系具有一发光本体及一成形于该发光本体内之发光区域，并且该正极导电层及该负极导电层皆成形于该发光本体上。图式简单说明：第一图系为习知发光二极体封装结构之结构示意图；第二A图至第二K图系分别为本创作用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构的制作方法之第一实施例之制作流程示意图；第二L图系为本创作第一实施例之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构透过锡膏的方式电性连接于一电路板上；第三A图至第三C图系分别为本创作用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构的制作方法之第二实施例之部分制作流程示意图；以及第三D图系为本创作第二实施例之用于增加导电及散热面积之晶圆级发光二极体封装结构透过锡膏的方式电性连接于一电路板上。 |
