| 主权项 |
1.一种反交错型铁电记忆体，包含：一基板，其具有一第一表面；一绝缘层，其形成在该基板之第一表面上；一闸极，其形成在该绝缘层上；一铁电层，其形成在该闸极上用以构成一闸极铁电电容；一半导体层，其形成在该绝缘层上并覆盖该铁电层与该闸极，该半导体层并界定一位在该铁电层上的通道部；及一源极与一汲极，该源极与汲极系形成在该半导体层上并为该通道部分隔开，又该源极与汲极并个别包含一与该半导体层电性连接的杂质掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之反交错型铁电记忆体，其中，该基板系一矽基板或是一玻璃基板；该半导体层系为非晶矽薄膜，且该半导体层之通道部上方形成一阻挡层，该阻挡层位于该源极与汲极之间。3.如申请专利范围第2项所述之反交错型铁电记忆体，其中，该绝缘层为二氧化矽薄膜。4.如申请专利范围第3项所述之反交错型铁电记忆体，其中，该闸极系由铂(Pt)或铬(Cr)等抗热金属材料构成。5.如申请专利范围第4项所述之反交错型铁电记忆体，其中，该闸极与该绝缘层之间具有一由钛(Ti)薄膜构成的缓冲层。6.如申请专利范围第5项所述之反交错型铁电记忆体，其中，该铁电层为锆钛酸钡(BZT)铁电薄膜。7.如申请专利范围第6项所述之反交错型铁电记忆体，其中，该源极与该汲极系由铝(Al)金属材料构成，且该杂质掺杂区为n+掺杂的非晶矽层。图式简单说明：第一图系一系统面板之结构示意图；第二图系依据本创作一较佳实施例构成的反交错型铁电记忆体的结构示意图；及第三图系显示本创作之铁电记忆体在不同汲极电压下之闸极电压对汲极电流的曲线图。 |
