| 摘要 |
1. Способ формирования тонких ферроэлектрических пленок из олигомера или соолигомера винилиденфторида (ВДФ), согласно которому олигомер ВДФ или соолигомер ВДФ с другим олигомером наносят на подложку, с образованием на ней тонкой пленки, посредством испарения, осуществляемого в герметичной камере, в которой заключены подложка и испаритель, отличающийся тем, что включает следующие операции: ! а) герметичную камеру откачивают до давления менее 100 Па, ! b) охлаждают подложку до температуры, находящейся в температурном интервале, в котором основная часть олигомера или соолигомера кристаллизуется в полярную кристаллическую фазу, ориентированную параллельно подложке, но не ниже температуры, при которой давление насыщенных паров воды в указанной камере становится равным парциальному давлению паров воды до начала охлаждения, и не ниже -130°С, ! c) осуществляют испарение олигомера или соолигомера на подложку с формированием тонкой пленки заданной толщины, ! d) после достижения тонкой пленкой из олигомера или соолигомера заданной толщины повышают температуру подложки до комнатной температуры и ! e) нагревают нанесенную тонкую пленку олигомера или соолигомера до температуры в интервале 50-150°С для осуществления отжига нанесенной тонкой пленки с преобразованием остаточной неполярной кристаллической фазы в полярную кристаллическую фазу. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют олигомер или соолигомер ВДФ, содержащий менее 100 повторяющихся звеньев. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве исходного используют олигомер или соолигомер ВДФ, имеющий заданную длину. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что исходн |
