PROCEDE D'HETERO EPITAXIE LOCALISEE SUR DIELECTRIQUE, EN PARTICULIER DE GERMANIUM SUR SILICIUM OXYDE, ET PROCEDE ET SYSTEME DE REALISATION D'UNE BASE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE HOMOGENE OU HETEROGENE

摘要

La présente invention concerne un procédé de réalisation par hétéro épitaxie localisée d'une couche de semi-conducteur tel que du germanium par croissance latérale sur la surface d'un matériau isolant. Elle concerne aussi la réalisation d'une base de fabrication ou « wafer » de circuit intégré homogène ou hétérogène sur germanium, ainsi qu'un système de réalisation de telles bases.- une gravure spatialement sélective réalisant une couche de surface composite comprenant un premier matériau (106, 206) dans une première région et un deuxième matériau (104, 204). Ces régions sont contiguës en au moins une zone d'interface (1070, 2070) présentant une différence de niveau entre cette première région et cette deuxième région ;- une gravure chimique (128, 225) du premier matériau jusqu'à découvrir une partie (107, 207) du substrat aux abords de cette interface ;- une croissance (129, 130) de ce semi-conducteur (109, 110) à partir de cette partie découverte (107), dite zone de germination.