半导体装置之制造方法

主权项

1.一种半导体装置之制造方法，系包含有：在绝缘基板上形成非单结晶半导体膜的制程；对该非单结晶半导体膜进行加热处理的制程；以及利用物理去除方法将因该加热处理所产生的上述非单结晶半导体膜的突起予以照射离子束而加以去除的制程；上述加热处理制程系照射雷射光而溶融再结晶化之制程；上述离子束的入射方向与相对于上述非单结晶半导体膜面之垂线所成的夹角θ为大于60°(不含60°)至90°。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法，其中，上述物理去除方法系对上述突起照射离子铣的离子束而将突起去除的方法。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置之制造方法，系随着该突起之减小而改变增大该夹角者。图式简单说明：第1(a)至(e)图系本发明之半导体装置制造方法的制程剖视图。第2图系采用本发明半导体装置之液晶显示装置的剖视图。第3图系本发明之半导体装置制造方法所使用的离子铣装置的剖视图。第4(a)至(c)图系本发明之半导体装置制造方法的蚀刻制程剖视图。第5图系本发明离子束射入角度与蚀刻速率间的关系特性图。第6图系本发明之离子束射入角度与经平坦化后之突起高度间的关系图。第7图系习知之半导体装置的表面状态图。第8(a)至(d)图系习知之半导体装置制造方法的制程剖视图。