| 发明名称 | 高压晶体管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压晶体管制造方法，通过在淀积了多晶硅栅以后，对硅衬底上的源漏区域进行过刻蚀，从而改变了晶体管的电力线分布，进而提高了晶体管的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101452850A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710094382.9 | 申请日期 | 2007.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 钱文生;胡君 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周 赤 |
| 主权项 | 1、一种高压晶体管制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底上形成源漏区域的工序；在硅衬底顶部生长栅氧化层和在所述栅氧化层上淀积多晶硅栅的工序；对所述多晶硅栅进行刻蚀形成栅极，同时对所述栅极两侧的硅衬底进行过刻蚀的工序；在所述栅极两侧形成侧墙的工序。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||