发明名称 |
大功率发光二极管芯片的封装结构 |
摘要 |
一种大功率发光二极管芯片的封装结构,包括大功率发光二极管芯片、金属基座以及塑料构件,所述金属基座的表面开有反射凹杯,大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在凹杯的底面,塑料构件与金属基座通过塑料构件上的四只塑料脚连接,金属基座的凹杯套在塑料构件内,塑料构件内封装导电片,导电片设有芯片电极连接端与引脚输出端,导电片的芯片电极连接端通过导线与大功率发光二极管芯片的电极连接,塑料构件与金属基座反射凹杯的空腔为填充树脂。 |
申请公布号 |
CN201255376Y |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200820164084.2 |
申请日期 |
2008.09.11 |
申请人 |
杭州友旺科技有限公司 |
发明人 |
程野 |
分类号 |
F21V19/00(2006.01)I;F21V7/10(2006.01)I;F21V29/00(2006.01)I;F21V23/00(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
F21V19/00(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
1. 一种大功率发光二极管芯片的封装结构,包括大功率发光二极管芯片、金属基座以及塑料构件,所述金属基座的表面开有反射凹杯,大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在凹杯的底面,塑料构件与金属基座通过塑料构件上的四只塑料脚连接,金属基座的凹杯套在塑料构件内,塑料构件内封装导电片,导电片设有芯片电极连接端与引脚输出端,导电片的芯片电极连接端通过导线与大功率发光二极管芯片的电极连接,塑料构件与金属基座反射凹杯的空腔为填充树脂。 |
地址 |
310052浙江省杭州市滨江区环兴路1号厂房1楼(高新区) |