沟槽半导体器件及其制造方法

摘要

制造一种RESURF型半导体器件，在漏区(2)上方具有漂移区(4)。在穿过掩模(6)中开口形成沟槽(8)。在沟槽的侧壁和基部上沉积沟槽绝缘层(12)，之后是过蚀刻步骤以从沟槽的基部以及与第一主表面相邻的沟槽侧壁的顶部移除沟槽绝缘层(10)，在沟槽侧壁的顶部和沟槽的基部留下暴露出的硅。选择性地生长硅，用硅插塞(18)塞住沟槽，留下空隙(20)。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：(a)提供硅半导体主体，其具有相对的第一和第二主表面，并且具有位于第一主表面处的较低掺杂区(4)以及位于较低掺杂区(4)下方的较高掺杂区(2)，掺杂该较低掺杂区(4)和该较高掺杂区(2)以具有第一导电类型，该较低掺杂区(4)具有比该较高掺杂区(2)更低的掺杂；(b)在该第一主表面(80)上定义具有开口(9)的掩模(6)；(c)穿过掩模中的开口(9)形成沟槽(8)，该沟槽(8)穿过该较低掺杂区(4)朝着该较高掺杂区(2)从第一主表面(80)朝着该第二主表面(82)延伸；(d)在该沟槽的侧壁和基部以及该第一主表面上沉积沟槽绝缘层；(e)从与该第一主表面相邻的该沟槽侧壁的顶部移除该沟槽绝缘层，在该沟槽侧壁的顶部留下暴露出的硅(14)；以及(f)在该暴露出的硅(14)上选择性地生长硅(18)，以在该沟槽的顶部生长硅并塞住该沟槽的顶部，其中该方法进一步包括限定用于在半导体器件的工作状态耗尽该较低掺杂区(4)的结构，以使该较低掺杂区(4)能够承受在该工作状态的电压。