固相熔剂外延生长法

摘要

本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温度的低温下进行堆积，在目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下对该基板进行热处理，其中所述熔剂由与所述目标物质之间形成共晶但不形成化合物的物质构成。通过固相反应即固相扩散，目标物质和熔剂相混合而形成共晶状态的液相，目标物质从该液相析出并在基板上进行外延生长。

主权项

1. 一种固相熔剂外延生长法，其特征在于：含有下述2个步骤：第1步骤，该步骤是在基板上将由构成元素中含有Bi的多元系氧化物和熔剂混合而成的非晶形薄膜在低于所述多元系氧化物和熔剂的共晶点温度的温度下进行堆积，所述熔剂是与所述多元系氧化物之间形成共晶但不形成化合物的3元组成的熔剂，以及第2步骤，该步骤是在所述多元系氧化物和熔剂的共晶点温度以上的温度下、而且是在低于所述多元系氧化物的熔点温度或熔剂的熔点温度中较低一方的熔点温度的温度下，对所述基板进行热处理，在所述第1步骤中，所述熔剂的量根据要生长的多元系氧化物的量进行选择，以使所述多元系氧化物和熔剂的组成比为共晶点组成比。