| 发明名称 | 源极/漏极电极、晶体管衬底及其制造方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1-6原子％的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。 | ||
| 申请公布号 | CN100499137C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610114890.4 | 申请日期 | 2006.08.16 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 钉宫敏洋;后藤裕史 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1. 一种薄膜晶体管衬底，其包含基板、半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极，所述的源极/漏极电极包含铝合金薄膜，该铝合金含0.1-6原子％的镍作为合金元素，其中所述的源极/漏极电极被设置成所述的铝合金薄膜直接连接到所述的半导体层上，并且其中所述的铝合金还包含0.1-1.0原子％的选自Ti、V、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W的至少一种元素作为合金元素。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||