制造半导体器件的方法

摘要

一种用于制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上依次形成第一绝缘膜和虚设栅极；通过用虚设栅极作为掩模来形成轻掺杂结区，在所述虚设栅极的侧壁上形成第一间隔件，并随后形成重掺杂结区。所述方法还包括在形成有所述重掺杂结区的所述半导体衬底上形成第二绝缘膜，并去除虚设栅极以形成暴露出一部分第一绝缘膜的空腔；在空腔的侧壁上形成第二间隔件；在第二间隔件上依次形成栅极绝缘膜和栅极导体，并随后去除第二绝缘膜及一部分栅极绝缘膜；并在栅极导体的顶部上和轻掺杂结区中形成自对准硅化物膜。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成第一绝缘膜和虚设栅极；利用所述虚设栅极作为掩模来形成轻掺杂结区；在所述虚设栅极的侧壁上形成第一间隔件；形成重掺杂结区；在形成有所述重掺杂结区的所述半导体衬底上形成第二绝缘膜，并去除所述虚设栅极，以形成暴露出至少一部分所述第一绝缘膜的空腔；在所述空腔的侧壁上形成第二间隔件；在所述第二间隔件上依次形成栅极绝缘膜和栅极导体，并随后去除所述第二绝缘膜和至少一部分所述栅极绝缘膜；以及在所述栅极导体的顶部和所述轻掺杂结区中形成自对准硅化物膜；其中形成所述第二间隔件的步骤还包括：蚀刻所述第一绝缘膜的暴露部分和位于所述第一绝缘膜的暴露部分之下的至少一部分所述半导体衬底。