| 发明名称 | 制造高电压器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造高电压器件的方法，按照该方法，通过在形成具有垂直型漂移区的对称高电压器件的过程中平坦化栅极，可以减少由在源极和漏极之间进行隔离所需的区域。因此，在沟槽中形成高度低于氧化物隔离件的栅极，从而减少用于在源极和漏极之间进行隔离的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101452859A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200810182591.3 | 申请日期 | 2008.12.03 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 姜舜京 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种方法，包括：在半导体衬底中形成隔离开的一对垂直型漂移区；在所述半导体衬底中形成氧化层，并且所述氧化层与部分所述漂移区重叠；在所述漂移区中和在所述漂移区之间的所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁上形成氧化物隔离件；在所述沟槽中以及在所述氧化层上形成栅极；平坦化所述栅极；以及然后分别在所述漂移区中形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||