非易失性存储单元、与非型非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储单元的制作方法。首先，在基底上依序形成绝缘层、第一导体层、栅间绝缘层、第二导体层以及硬掩模层。然后，图案化硬掩模层、第二导体层、栅间绝缘层与第一导体层，以形成堆叠栅极结构。之后，移除堆叠栅极结构两旁的基底上的绝缘层，直至曝露出基底表面。随后，于所曝露出的基底上形成外延材料层。接着，进行离子注入工艺，于基底中形成掺杂区，以及使外延材料层转变成掺杂外延材料层。

主权项

1. 一种非易失性存储单元的制作方法，包括：在基底上依序形成绝缘层、第一导体层、栅间绝缘层、第二导体层以及硬掩模层；图案化该硬掩模层、该第二导体层、该栅间绝缘层与该第一导体层，以形成堆叠栅极结构；移除该堆叠栅极结构两旁的该基底上的该绝缘层，直至曝露出该基底表面；于所曝露出的该基底上形成外延材料层；以及进行离子注入工艺，于该基底中形成掺杂区，以及使该外延材料层转变成掺杂外延材料层。