形成不同图形密度的光刻方法

摘要

本发明公开了一种形成不同图形密度的光刻方法，用于刻蚀宏负载效应测试，该光刻方法至少使用两块具有不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的某个成阵列的不同单元内利用上述不同图形密度的光刻掩膜板按预定的位置光刻，使该阵列形成图像均匀的光刻图形，最终得到整体光刻图形密度。通过至少两块具不同图形密度的光刻掩膜版在基本单元上组合光刻，形成具有图形密度不同的整体光刻图形，有效了减少了研究刻蚀宏负载过程中光刻掩膜版的数量，降低研究成本。

主权项

1、一种形成不同图形密度的光刻方法，用于刻蚀宏负载效应测试，其特征在于：该光刻方法至少使用两块具有不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的某个阵列的不同单元内利用上述不同图形密度的光刻掩膜板按预定的位置光刻，使该阵列形成图像均匀的光刻图形，最终得到整体光刻图形密度。