一种制作阻变存储器交叉阵列的方法

摘要

本发明公开了一种制作阻变存储器交叉阵列的方法，该方法经过两次光刻、两次薄膜淀积、两次剥离工艺，获得阻变存储器交叉阵列，该方法包括：在基片表面上生长绝缘层薄膜；在绝缘层薄膜表面上涂敷光刻胶，之后曝光、显影得到下电极图形；在下电极图形上淀积下电极材料；剥离淀积的下电极材料，得到交叉阵列线下电极；在下电极上涂敷光刻胶，之后曝光、显影得到电阻转变层和上电极图形；在电阻转变层和上电极图形上淀积电阻转变层材料和上电极材料；剥离淀积的电阻转变层材料和上电极材料，得到电阻转变层和交叉阵列线的上电极。利用本发明，降低了制作成本，提高了存储器阵列的密度。

主权项

1、一种制作阻变存储器交叉阵列的方法，该方法经过两次光刻、两次薄膜淀积、两次剥离工艺，获得阻变存储器交叉阵列，其特征在于，该方法包括：A、在基片表面上生长绝缘层薄膜；B、在绝缘层薄膜表面上涂敷光刻胶，之后曝光、显影得到下电极图形；C、在下电极图形上淀积下电极材料；D、剥离淀积的下电极材料，得到交叉阵列线下电极；E、在下电极上涂敷光刻胶，之后曝光、显影得到电阻转变层和上电极图形；F、在电阻转变层和上电极图形上淀积电阻转变层材料和上电极材料；G、剥离淀积的电阻转变层材料和上电极材料，得到电阻转变层和交叉阵列线的上电极。