| 发明名称 | 单源多漏的MOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源极、栅极和漏极，所述源极在衬底上的投影为多边形，所述栅极包围在源极四周且所述栅极外围在衬底上的投影为多边形，所述漏极有多个且各自独立，所述漏极分布在栅极四周。本发明单源多漏的MOS器件可以在各类存储器电路中实现具有相同源极和栅极的多个MOS晶体管，使不同MOS晶体管的源极和栅极实现共享，与传统MOS器件相比有效节省了存储器面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101452936A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710094395.6 | 申请日期 | 2007.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 董科;张博;徐云 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1. 一种单源多漏的MOS器件，所述MOS器件包括源极、栅极和漏极，其特征是：所述源极在衬底上的投影为多边形，所述栅极包围在源极四周且所述栅极外围在衬底上的投影为多边形，所述漏极有多个且各自独立，所述漏极分布在栅极四周。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||