电阻式存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种电阻式存储器及其制造方法。该电阻式存储器的制造方法包括下列步骤。首先，形成第一导电材料层于基板上。然后，蚀刻第一导电材料层形成一具有第一表面的第一信号线。接着，形成一具有第二表面的存储材料层，存储材料层并通过第一表面接触第二表面与第一信号线耦接。然后，形成第二导电材料层与存储材料层耦接。接着，蚀刻第二导电材料层以形成第二信号线，其中第二表面的面积实质上大于或等于第一信号线与第二信号线重叠区域的面积。

主权项

1. 一种电阻式存储器，包括：基板；第一信号线，设置于该基板上，该第一信号线具有第一表面；存储单元，具有第二表面，该存储单元通过该第二表面接触该第一表面与该第一信号线耦接；以及第二信号线，设置于该存储单元上并耦接该存储单元，其中该第二表面的面积实质上大于或等于该第一信号线与该第二信号线重叠区域的面积。