发明名称 |
内建电容耦合效应补偿功能的装置及方法 |
摘要 |
本发明披露一种内建电容耦合效应补偿功能的电子装置,其包含第一基板、共用电极、第二基板、耦合撷取结构和补偿电路。共用电极配置于第一基板之上。耦合撷取结构配置于第二基板之上,用以输出一耦合撷取电压;此耦合撷取电压包含一直流电压成分和一非直流电压成分。补偿电路用以接收耦合撷取电压和一第二共用电压,并输出一工作共用电压,此工作共用电压施加至前述的共用电极。本发明还包含一种补偿电子装置电容耦合效应的方法。 |
申请公布号 |
CN101452131A |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200710194062.0 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
瀚宇彩晶股份有限公司 |
发明人 |
邱莛宸;吴许合;方文振;曾俊钦 |
分类号 |
G02F1/133(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/133(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王 英 |
主权项 |
1、一种内建电容耦合效应补偿功能的电子装置,包含:一第一基板;一共用电极,配置于所述第一基板之上;一第二基板,以接收一第一共用电压;一耦合撷取结构,配置于所述第二基板之上,以输出一耦合撷取电压;以及一补偿电路,用以接收所述耦合撷取电压并输出一工作共用电压至所述共用电极。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |