| 发明名称 | IGBT超薄晶片背面工艺的新方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的一种加工IGBT超薄晶片背面工艺的新方法，将每俩片芯片面对面放在一起，用聚酰亚胺将芯片边缘粘起来，在完成离子注入和金属镀膜等后道工序之后，用溶剂将聚酰亚胺胺溶解并分离芯片，可以使IGBT在加工工序过程中不被穿透，而且生产过程中性能稳定，安全可靠，成本低，使用方便。 | ||
| 申请公布号 | CN101452815A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710114844.9 | 申请日期 | 2007.12.04 |
| 申请人 | 科达半导体有限公司 | 发明人 | 李昕 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、IGBT超薄晶片背面工艺的新方法，其特征在于在将每两片芯片面对面放在一起，用聚酰亚胺将芯片边缘粘起来，在完成离子注入和金属镀膜等后道工序之后，用溶剂将聚酰亚胺溶解并分离芯片。 | ||
| 地址 | 257091山东省东营市东城府前街65号 | ||