| 发明名称 | 相变化存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种相变化存储装置，包括：一第一导电电极，设置于一第一介电层内；一第二介电层，设置于该第一介电层的一侧；一相变化材料层，埋设于该第二介电层内，该相变化材料层与该第一导电电极电连接；一空室，设置于该第二介电层内，介于该第二介电层与该相变化材料层侧壁之间，隔离该相变化材料层的一侧壁与其相邻的该第二介电层；以及一第二导电电极，堆叠于该相变化材料层的一侧，并与该相变化材料层电连接。本发明亦提供了一种相变化存储装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101452992A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710196123.7 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 涂丽淑 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1. 一种相变化存储装置，包括：第一导电电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层的一侧；相变化材料层，埋设于该第二介电层内，该相变化材料层与该第一导电电极电连接；空室，设置于该第二介电层内，介于该第二介电层与该相变化材料层侧壁之间，隔离该相变化材料层的侧壁与其相邻的该第二介电层；以及第二导电电极，堆叠于该相变化材料层的一侧，并与该相变化材料层电连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||