高亮度发光二极管元件及其制造方法

摘要

本发明技术提供一种高亮度发光二极管元件及其制造方法，特别是一种具有一透光导电层与一排列状传导层组合的发光二极管元件；利用本发明技术的发光二极管元件的制造方法可解决现有的发光二极管元件透光性低造成发光效率差的问题，进而得到最佳的透光性及欧姆特性的发光二极管元件，达到提高发光二极管元件亮度的目的。

主权项

1、一种发光二极管元件，该发光二极管元件包括：一基板，该基板位于该发光二极管元件的底端；一半导体层，该半导体层接于该基板上部，具有一N型半导体层、发光区及一P型半导体层，其中，该发光区介于该N型半导体层与该P型半导体层之间；一排列状反射层，该排列状反射层位于该P型半导体层上端；一排列状传导层，该排列状传导层位于该排列状反射层上端；以及一透光导电层，该透光导电层覆盖于该排列状传导层上部可提高该发光二极管元件的亮度。