| 摘要 |
1. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, причем способ включает следующие операции: ! наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и второго диффузионного слоя, образованного смежно с первым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя. ! 2. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции: ! наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно второго диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и первого диффузионного слоя, образованного смежно со вторым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего большую проводимость, чем проводимость второго диффузионного слоя. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния. ! 4. Способ по п.2, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатный гель или прекурсор оксида кремния. ! 6. Способ по п.4, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатны |
