形成焊料连接的方法及其结构

摘要

在第一方面中，一种方法包括淀积第一含金属层(16)到沟槽结构中，该第一含金属层(16)接触半导体结构(10)的金属化区域(12)。该方法进一步包括在抗蚀剂中对第一含金属层(16)图案化至少一个开口。该开口应该和沟槽结构对准。在至少一个开口内至少形成衬垫含金属层(20)(优选地通过电镀处理)。随后蚀刻该抗蚀剂(18)和抗蚀剂(18)下面的第一金属层(16)(在实施例中，以第二金属层(20)作为掩模)。该方法包括在蚀刻处理之后将焊料材料(22)流到沟槽中和流到衬垫含金属层(20)上。该结构是受控熔塌芯片连接(C4)结构，其包括在抗蚀剂图案中形成的至少一个电镀金属层以形成至少一个球限制冶金层。该结构进一步包括没有底切的下金属层。

主权项

1. 一种方法，包括：淀积第一含金属层到沟槽结构中，该第一含金属层接触半导体结构的金属化区域；在抗蚀剂中对第一含金属层图案化至少一个开口，该开口大体上与所述沟槽结构对准；在至少一个开口内至少形成衬垫含金属层或者双层；剥离抗蚀剂并蚀刻抗蚀剂下的第一金属层；和将焊料材料流入所述沟槽结构内并流到衬垫含金属层上。