| 发明名称 | 改善SRAM匹配度的方法 | ||
| 摘要 | 一种改善SRAM匹配度的方法，包括，测量根据SRAM布图形成的SRAM中的一对对称MOS管的电性参数；根据所述电性参数判断所述对称MOS管是否匹配，若所述对称MOS管不匹配，则改变不匹配的MOS管中与所测量的电性参数相关的布图特征量，并重复上述步骤直到所述对称MOS管匹配。所述改善SRAM匹配度的方法通过改变所述不匹配管的电学性能，从而改善SRAM的匹配度。 | ||
| 申请公布号 | CN101452742A | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710094402.2 | 申请日期 | 2007.12.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄艳;黄威森 |
| 分类号 | G11C11/417(2006.01)I;G11C29/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1. 一种改善SRAM匹配度的方法，其特征在于，包括下列步骤，测量根据SRAM布图形成的SRAM中的一对对称MOS管的电性参数；根据所述电性参数判断所述对称MOS管是否匹配，若所述对称MOS管不匹配，则改变不匹配的MOS管中与所测量的电性参数相关的布图特征量，并重复上述步骤直到所述对称MOS管匹配。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||