非易失性存储器的制造方法

摘要

本发明涉及一种非易失性存储器的制造方法，此方法包括：在基底上依序形成穿隧介电层与第一导体层；于第一导体层、穿隧介电层与基底中形成隔离结构；于源极区域与漏极区域形成保护层；移除部分隔离结构；移除保护层；于基底上形成栅间介电层；移除源极区域以及漏极区域的栅间介电层；于基底上形成第二导体层；进行图案化工艺，图案化第二导体层、栅间介电层、第一导体层与穿隧介电层，并同时移除源极区域以及漏极区域的第二导体层、第一导体层与穿隧介电层；在堆叠栅极结构二侧、源极区域以及漏极区域的基底中分别形成掺杂区。

主权项

1. 一种非易失性存储器的制造方法，包括：在一基底上依序形成一穿隧介电层与一第一导体层，其中该基底具有一源极区域与一漏极区域；在该第一导体层、该穿隧介电层与该基底中形成一隔离结构，该隔离结构的延伸方向与该源极区域以及该漏极区域的延伸方向交错；在该源极区域与该漏极区域形成一保护层；移除部分该隔离结构，以使该隔离结构的表面低于该第一导体层的表面；移除该保护层；在该基底上形成一栅间介电层；移除该源极区域以及该漏极区域的该栅间介电层；在该基底上形成一第二导体层；进行一图案化工艺，图案化该第二导体层、该栅间介电层、该第一导体层与该穿隧介电层，以形成多个堆叠栅极结构，并同时移除该源极区域以及该漏极区域的该第二导体层、该第一导体层与该穿隧介电层；以及在所述堆叠栅极结构二侧、该源极区域以及该漏极区域的该基底中分别形成一掺杂区。