晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了晶闸管、专用于制造晶闸管的芯片及其制造方法，晶闸管由外壳、芯片、引出线几部分组成，芯片包括长基区N、短基区P、隔离墙，N⁺区，P⁺区，槽型钝化台面，在隔离墙设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40-400μm。本发明因为在隔离墙上设有激光孔，加快了隔离墙扩散速度和深度，可以使隔离墙纵深部分做的比较厚，从而长基区可以做长，做到200-600μm，芯片的耐压提高，125℃高温时漏电流减小，性能稳定。由于采用激光穿孔隔离墙扩散工艺制造晶闸管芯片，加快了隔离墙扩散速度，节省了能源，生产周期短，生产效率高，原材料硅片的利用率高，适合规模化生产。

主权项

1、一种晶闸管，晶闸管由外壳、芯片、引出线三部分组成，芯片包括长基区N、短基区P1、P2，隔离墙，磷扩散区N+，浓硼扩散区P+，槽型钝化台面，芯片中间为长基区N，上为短基区P2、下为短基区P1，周边设有隔离墙，磷扩散区N+设在短基区P2上，阴极K设在磷扩散区N+上，浓硼扩散区P+，设在短基区P1上，阳极A设在浓硼扩散区P+上，槽型钝化台面设在短基区P2与隔离墙之间，其特征在于：在隔离墙平面上设有垂直穿通的激光孔，激光孔的直径小于200μm，激光孔的间距40-400μm。