| 发明名称 | 发光薄膜半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光薄膜半导体芯片，其具有一个外延的多层结构(12)，所述多层结构包含一个有源发光层，并具有一个第一主面和一个背向该第一主面的、用于耦合输出在所述有源发光层内产生的辐射的第二主面(18)。另外，所述多层结构的所述第一主面(16)与一反射层或边界面耦合，而且所述多层结构的与所述多层结构的所述第二主面相邻的区域被一维地或二维地用凸形突起结构化。所述多层结构的与所述多层结构的所述第二主面相邻的区域具有凸形的突起，以及所述突起具有位于约30°-约70°之间的倾角，所述突起的高度至少是与所述多层结构的位于所述有源发光层和所述突起之间的非结构化区域的高度一样大。 | ||
| 申请公布号 | CN100499184C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN03827114.1 | 申请日期 | 2003.09.26 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | D·埃泽尔特;B·哈恩;V·海勒 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘春元;魏 军 |
| 主权项 | 1. 一种发光薄膜半导体芯片，其具有一个外延的多层结构(12)，所述多层结构包含一个有源发光层(14)，并具有一个第一主面(16)和一个背向该第一主面的、用于耦合输出在所述有源发光层内产生的辐射的第二主面(18)，其特征在于：所述多层结构(12)的所述第一主面(16)与一反射层或边界面耦合，而且所述多层结构的与所述多层结构的所述第二主面(18)相邻的区域(22)被一维地或二维地结构化，所述多层结构的与所述多层结构(12)的所述第二主面(18)相邻的区域(22)具有凸形的突起(26)，所述突起(26)具有位于300-700之间的倾角(β)，以及所述突起(26)的高度(h1)至少是与所述多层结构(12)的位于所述有源发光层(14)和所述突起(26)之间的非结构化区域(20)的高度(h2)一样大。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||