半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成3层叠层膜并在其上形成作为掩模加工第1层的第1抗蚀剂图形，形成第1膜图形并在去除其后，利用第2抗蚀剂图形部分覆盖第1膜图形；通过蚀刻使露出的第1膜图形变细；去除第2抗蚀剂图形后以部分变细的第1膜图形为掩模加工第2层形成第2膜图形；利用第3抗蚀剂图形部分覆盖第2膜图形；蚀刻去除露出的区域的第1膜图形保留其下面的第2层的部分；去除第3抗蚀剂图形后在第2膜图形和保留的第2层的部分的侧壁部形成侧壁隔离物；形成侧壁隔离物后去除保留的第2层的部分；以第2膜图形和侧壁隔离物为掩模蚀刻第3层形成第3膜图形；形成第3膜图形后去除第2膜图形和侧壁隔离物保留第3膜图形。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，包括：在被处理基板上形成包括第1层、第2层、第3层的叠层膜；在所述叠层膜上形成第1抗蚀剂图形；以所述第1抗蚀剂图形为掩模，加工作为所述叠层膜的最上层的所述第1层从而形成第1膜图形；在去除所述第1抗蚀剂图形后，利用第2抗蚀剂图形部分覆盖所述第1膜图形；通过蚀刻使从所述第2抗蚀剂图形露出的区域的所述第1膜图形变细；在去除所述第2抗蚀剂图形后，以部分变细的所述第1膜图形为掩模，加工所述第1层下面的所述第2层，形成包括所述第1层的部分和所述第2层的部分的第2膜图形；利用第3抗蚀剂图形部分覆盖所述第2膜图形；通过蚀刻去除从所述第3抗蚀剂图形露出的区域的所述第1膜图形，保留所述第1膜图形下面的所述第2层的部分；在去除所述第3抗蚀剂图形后，在所述第2膜图形和所保留的所述第2层的部分的侧壁部形成侧壁隔离物；在形成所述侧壁隔离物后，去除所保留的所述第2层的部分，然后以所述第2膜图形和所述侧壁隔离物为掩模，蚀刻所述第3层形成第3膜图形；以及在形成所述第3膜图形后，去除所述第2膜图形和所述侧壁隔离物，保留所述第3膜图形。