| 发明名称 | 掺锆铌酸锂晶体 | ||
| 摘要 | 掺锆铌酸锂晶体。本发明属非线性光学晶体领域。它的特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子，锆离子Zr<sup>4+</sup>的掺入量大于0.01mol％。本发明提供了一种新的抗光折变掺杂离子Zr<sup>4+</sup>，它的掺杂阈值低，易于生长出高品质的晶体，且抗光折变能力强，超过阈值以后晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高6个量级，比同成分掺镁(4.6mol％)铌酸锂晶体提高了3个量级。本发明之掺锆铌酸锂晶体，完全可以取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景。 | ||
| 申请公布号 | CN100497758C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200610129356.0 | 申请日期 | 2006.11.11 |
| 申请人 | 南开大学 | 发明人 | 刘士国;孔勇发;赵艳军;许京军;陈绍林;黄自恒;张玲 |
| 分类号 | C30B29/30(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人 | 侯 力 |
| 主权项 | 1、一种掺锆铌酸锂晶体，其特征是在铌酸锂晶体中掺入锆离子Zr1+，锆离子Zr1+的掺入量大于0.01mol％。 | ||
| 地址 | 300071天津市南开区卫津路94号 | ||