发明名称 |
通孔刻蚀方法 |
摘要 |
一种通孔刻蚀方法,包括:形成通孔刻蚀结构,所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层;将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层,所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度;顺序刻蚀辅助刻蚀终止层、介质层及第一刻蚀终止层;移除光致抗蚀剂层;刻蚀第二刻蚀终止层及部分粘接层,同时进行终点检测。通过在介质层上方增加辅助刻蚀终止层,且所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同,可保证移除通孔内刻蚀终止层材料时,刻蚀终止层的终点检测获得足够的检测粒子数目,提高刻蚀检测数据的相对稳定性,可实现通孔刻蚀的终点检测。 |
申请公布号 |
CN100499036C |
申请公布日期 |
2009.06.10 |
申请号 |
CN200610030795.6 |
申请日期 |
2006.09.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
韩秋华 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1. 一种通孔刻蚀方法,包括:形成通孔刻蚀结构,所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层;将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层,所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度,所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同,所述辅助刻蚀终止层的厚度根据所述第二厚度及所述刻蚀终止层的过刻蚀期望厚度确定,用以在移除所述刻蚀终止层材料时,使所述刻蚀终止层的终点检测获得足够的检测粒子数;顺序刻蚀辅助刻蚀终止层、介质层及第一刻蚀终止层;移除光致抗蚀剂层;刻蚀第二刻蚀终止层及部分粘接层,同时进行终点检测。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |