发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 一种半导体器件,包括:存储器元件,该存储器元件被设置在半导体衬底上并在其中记录信息;端子,该端子用于输入用以向存储器元件记录信息的第一电压和低于第一电压的、用以从存储器元件中读出信息的第二电压;以及静电放电保护电路,该静电放电保护电路连接到端子。所述静电放电保护电路包括其阴极连接到第一端子且其阳极连接到地电位的二极管,以及其漏极和栅极连接到该端子且源极和背栅连接到地电位的第一MOS晶体管。 | ||
申请公布号 | CN100499126C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
申请号 | CN200610154211.6 | 申请日期 | 2006.09.14 |
申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 森井崇 |
分类号 | H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1. 一种半导体器件,包括:存储器元件,该存储器元件被设置在半导体衬底上并在其中记录信息;端子,该端子叠加用于向存储器元件记录信息的第一电压和低于第一电压的、用于从存储器元件读出信息的第二电压;静电放电保护电路,其中,所述静电放电保护电路包括其阴极连接到所述端子且其阳极连接到地电位的二极管,以及其漏极和栅极连接到所述端子且其源极和背栅连接到地电位的第一MOS晶体管,其中,所述第一MOS晶体管的漏极也被用作所述二极管的阴极。 | ||
地址 | 日本东京 |