在半导体器件中形成隔离层的方法

摘要

一种半导体器件，可以包括：半导体衬底；第一沟槽，形成在该半导体衬底中；第二沟槽，形成在该半导体衬底中；第一器件隔离层，形成在该第一沟槽中；第二器件隔离层，形成在该第二沟槽中，并具有和该第一器件隔离层不同的结构。本发明在半导体器件中形成具有多层衬层氮化硅膜的器件隔离层。因此，可以将NMOS或PMOS的应力方向控制为预定的方向(拉力或压力)。结果，器件的性能可以最大化。尤其，由于使用了多层衬层氮化硅膜，因此可以通过控制衬层氮化硅膜的厚度，精密地控制NMOS和PMOS中的应力。

主权项

1. 一种方法，包括如下步骤：在半导体衬底中形成多个沟槽；通过热氧化在所述沟槽的侧面和底面上方形成氧化物膜；在包括所述沟槽的该半导体衬底的整个表面上方沉积第一衬层氮化硅膜；顺序进行在该第一衬层氮化硅膜上沉积氧化物膜的步骤以及在该氧化物膜上沉积第二衬层氮化硅膜的步骤；通过各向异性蚀刻和各向同性蚀刻，去除位于所述沟槽的预定的一个沟槽中的该第二衬层氮化硅膜和该氧化物膜；在包括所述沟槽的该半导体衬底的整个表面上方沉积电介质填充物；去除位于该半导体衬底的顶部表面上方的部分该电介质填充物；以及通过蚀刻部分该第一衬层氮化硅膜，在所述沟槽的第一组沟槽中形成具有多层衬层氮化硅膜的第一器件隔离层，并且在所述沟槽的其它沟槽中形成具有该第一衬层氮化硅膜的第二器件隔离层，其中，该第二衬层氮化硅膜和该氧化物膜形成在该半导体衬底的该顶部表面上方。